MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW120R140M1HXKSA1, VDSS 75 V, ID 52 A, N, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2926
- Nº ref. fabric.:
- IMW120R140M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
6,42 €
(exc. IVA)
7,77 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 152 unidad(es) más para enviar a partir del 22 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 6,42 € |
| 5 - 9 | 6,10 € |
| 10 - 24 | 5,83 € |
| 25 - 49 | 5,59 € |
| 50 + | 5,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-2926
- Nº ref. fabric.:
- IMW120R140M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | IMW | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie IMW | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon IMW120R140M1HXKSA1 en un encapsulado TO247-3 integrado en un proceso de semiconductor Trench de última generación optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen los niveles más bajos de carga de puerta y capacitancia de dispositivo vistos en interruptores de 1200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado de conexión sin umbral.
Pérdidas de conmutación muy bajas
Característica de estado ON sin umbral
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th) = 4,5V V.
Tensión de puerta de desconexión de 0V V para accionamiento de puerta sencillo
Dv/dt completamente controlable
Diodo de cuerpo robusto para conmutación difícil
Pérdidas de conmutación de desconexión independiente de temperatura