MOSFET Infineon IMW120R007M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 225 A, TO-247 de 3 pines

El MOSFET SiC de 1.200 V, 7 mΩ de Infineon CoolSiC en encapsulado TO247-3 se basa en un proceso de semiconductores de tipo trinchera de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad, entre los que se incluyen, los niveles de capacidad de dispositivo y carga de puerta más bajos que se ven en conmutadores de 1.200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interna, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado encendido sin umbral. Los MOSFET CoolSiC son ideales para topologías de conmutación duras y resonantes como circuitos de corrección de factor de potencia (PFC), topologías bidireccionales y convertidores dc-dc o inversores dc-ac.

VDSS - 1.200 V a T - 25 °C
IDCC - 225 A a T - 25 °C
RDS(on) - 7 mohm a VGS - 18 V, T - 25 °C
Pérdidas de conmutación muy bajas
Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th) - 4,2 V
Robusto contra activación parasitaria, se puede aplicar tensión de puerta de desconexión de 0 V
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Tecnología de interconexión XT para el mejor rendimiento térmico de su clase