MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 52 A, N, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2925
- Nº ref. fabric.:
- IMW120R140M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-2925
- Nº ref. fabric.:
- IMW120R140M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | IMW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie IMW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon IMW120R140M1HXKSA1 en un encapsulado TO247-3 integrado en un proceso de semiconductor Trench de última generación optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen los niveles más bajos de carga de puerta y capacitancia de dispositivo vistos en interruptores de 1200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado de conexión sin umbral.
Pérdidas de conmutación muy bajas
Característica de estado ON sin umbral
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th) = 4,5V V.
Tensión de puerta de desconexión de 0V V para accionamiento de puerta sencillo
Dv/dt completamente controlable
Diodo de cuerpo robusto para conmutación difícil
Pérdidas de conmutación de desconexión independiente de temperatura