MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal BSD235CH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 0.95 A, US, Mejora de 6 pines, 2

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
250-0523
Nº ref. fabric.:
BSD235CH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.95A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

BSD235C

Encapsulado

US

Número de pines

6

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon fabrica este canal P + N complementario de 20 V ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Este Mosfet de modo de mejora ofrece un nivel superlógico (valor nominal de 2,5 V). El dispositivo tiene calificación avalancha y está 100 % libre de plomo.

Nivel superlógico con tensión nominal de 2,5 V

La temperatura de funcionamiento es de 150 °C

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