MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -1.5 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:
250-0561
Nº ref. fabric.:
BSV236SPH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

BSV

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El OptiMOS-P de Infineon es un transistor de señal pequeña de canal P con modo de mejora. Nivel superlógico (valor nominal de 2,5 V). Tiene clasificación de avalancha y dv/dt.

VDS es de 20 V, Rds(on) es de 175 mΩ y Id es de 1,5 A

Temperatura de funcionamiento 150 °C

La disipación de potencia máxima es de 560 mW

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