MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSD214SNH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:
214-4333
Nº ref. fabric.:
BSD214SNH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.8nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.02mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.35 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Infineon OptiMOS™2 de transistor de señal pequeña tiene certificación AEC Q101.

Canal N.

Modo de mejora

Nivel Super Logic (valor nominal de 2,5 V)

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