MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:
214-4331
Nº ref. fabric.:
BSD214SNH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

US

Serie

OptiMOS 2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.35mm

Altura

1mm

Longitud

2.02mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Infineon OptiMOS™2 de transistor de señal pequeña tiene certificación AEC Q101.

Canal N.

Modo de mejora

Nivel Super Logic (valor nominal de 2,5 V)

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