Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSD316SNH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, US de 6 pines

Código RS:: 258-0699
Nº ref. fabric.:: BSD316SNH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSD316SNH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:: 258-0699
Nº ref. fabric.:: BSD316SNH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	US
	Serie	BSD
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	160mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.6nC
	Tensión directa Vf	0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd	0.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	1.25 mm
	Altura	0.9mm
	Longitud	2mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21, RoHS
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado US
	Serie BSD
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC
	Tensión directa Vf 0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd 0.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 1.25 mm
	Altura 0.9mm
	Longitud 2mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - BSD316SNH6327XTSA1

Los fabricantes industriales y de automoción de MOSFET de señal pequeña de canal N de Infineon ofrecen una amplia gama de MOSFET de señal pequeña de canal N y P que cumplen y superan los requisitos de calidad más altos en encapsulados estándar del sector bien conocidos. Con niveles inigualables de fiabilidad y capacidad de fabricación, estos componentes son ideales para una amplia variedad de aplicaciones, incluida iluminación de LED, ADAS, unidades de control de cuerpo, SMPS y control de motor.

Modo de mejora

Nivel lógico

Valor nominal de avalancha

Conmutación rápida

Valor nominal Dv/dt

El bajo RDS(on) proporciona mayor eficiencia y prolonga la vida útil de la batería

Los encapsulados pequeños ahorran espacio en PCB

Mejor calidad y fiabilidad de su clase

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSD316SNH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, US de 6 pines

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