MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -0.39 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:
250-0520
Nº ref. fabric.:
BSD223PH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-0.39A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

US

Serie

BSD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Las familias OptiMOS™ altamente innovadoras de Infineon incluyen mosfet de modo de mejora con nivel superlógico. Tiene clasificación de avalancha nominal y dv/dt. Ofrece una conmutación rápida. El dispositivo no contiene plomo ni halógenos. El Vds es de -20 V, Rds(on) es de 1,2 Ω mientras que Id es de -0,39 A.

Cumple constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento

Gran resistencia en estado activo y características de calidad

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