MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSD223PH6327XTSA1, VDSS 40 V, ID -0.39 A, Mejora, US de 6 pines
- Código RS:
- 250-0521
- Nº ref. fabric.:
- BSD223PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 100 - 240 | 0,258 € | 2,58 € |
| 250 - 490 | 0,167 € | 1,67 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 250-0521
- Nº ref. fabric.:
- BSD223PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -0.39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | BSD | |
| Encapsulado | US | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -0.39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie BSD | ||
Encapsulado US | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Las familias OptiMOS™ altamente innovadoras de Infineon incluyen mosfet de modo de mejora con nivel superlógico. Tiene clasificación de avalancha nominal y dv/dt. Ofrece una conmutación rápida. El dispositivo no contiene plomo ni halógenos. El Vds es de -20 V, Rds(on) es de 1,2 Ω mientras que Id es de -0,39 A.
Cumple constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento
Gran resistencia en estado activo y características de calidad
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