MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ186E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 245 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
252-0316
Nº ref. fabric.:
SQJQ186E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

245A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET Gen IV

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0014mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

6.15mm

Altura

1.9mm

Anchura

4.9 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

con certificación AEC-Q101

100 % comprobación Rg y UIS

Altura reducida de 1,9 mm

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