MOSFET Vishay SI4101DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 25,7 A, SO-8
- Código RS:
- 256-7361
- Nº ref. fabric.:
- SI4101DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
2495 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
0,752 €
(exc. IVA)
0,91 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,752 € | 3,76 € |
| 50 - 95 | 0,68 € | 3,40 € |
| 100 - 245 | 0,546 € | 2,73 € |
| 250 - 995 | 0,534 € | 2,67 € |
| 1000 + | 0,386 € | 1,93 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7361
- Nº ref. fabric.:
- SI4101DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El mosfet de canal P de 30 V (D-S) de 25,7 A (Tc) de 6 W (Tc) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con tipo de encapsulado 8-SOIC y sus aplicaciones son interruptor de adaptador, interruptor de carga, gestión de potencia, ordenadores portátiles y baterías portátiles.
MOSFET de potencia TrenchFET
100 % probado Rg y UIS
Montaje superficial en placa 1 x 1 FR4
100 % probado Rg y UIS
Montaje superficial en placa 1 x 1 FR4
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 25,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SO-8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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