MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 2.4 A, SOIC de 8 pines

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Código RS:
256-7362
Nº ref. fabric.:
SI4948BEY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

Si4948BEY

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Estándar de automoción

No

El mosfet iTime de 175° de canal P doble de Vishay Semiconductor no contiene halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET

Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC

Montaje superficial en placa 1 x 1 FR4

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