MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4948BEY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 2.4 A, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 256-7363
- Nº ref. fabric.:
- SI4948BEY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,68 € | 8,40 € |
| 50 - 95 | 1,628 € | 8,14 € |
| 100 - 245 | 1,378 € | 6,89 € |
| 250 - 995 | 1,352 € | 6,76 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7363
- Nº ref. fabric.:
- SI4948BEY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4948BEY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4948BEY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet iTime de 175° de canal P doble de Vishay Semiconductor no contiene halógenos.
MOSFET de potencia TrenchFET
Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC
Montaje superficial en placa 1 x 1 FR4
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