MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 2.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
262-6739
Nº ref. fabric.:
IRF7503TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOIC

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

222mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.25W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Tiene la huella más pequeña, lo que la convierte en ideal para aplicaciones donde el espacio de la placa de circuito impreso es fundamental.

Resistencia ultrabaja

Disponible en cinta y carrete

Encapsulado SOIC muy pequeño

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