MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-5714
- Nº ref. fabric.:
- IRF7855TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5714
- Nº ref. fabric.:
- IRF7855TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 12 A - IRF7855TRPBF
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para tareas de conmutación y gestión de potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas para uso industrial y es adecuado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas por conducción y una respuesta de puerta rápida. El dispositivo se suministra en un encapsulado SOIC de 8 contactos para un montaje en PCB compacto y admite una disipación de potencia moderada en funcionamiento continuo.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 60 V permite la conmutación en sistemas de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 12 A admite corrientes de carga elevadas
• La baja Rds(on) de 9,4 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 26 nC garantiza un control de conmutación sensible
• La tolerancia de puerta de 20 V permite tensiones de accionamiento flexibles
• La disipación de potencia de 2,5 W gestiona la carga térmica en espacios reducidos
• La corriente de drenaje continua de 12 A admite corrientes de carga elevadas
• La baja Rds(on) de 9,4 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 26 nC garantiza un control de conmutación sensible
• La tolerancia de puerta de 20 V permite tensiones de accionamiento flexibles
• La disipación de potencia de 2,5 W gestiona la carga térmica en espacios reducidos
Aplicaciones
• Apto para carriles de alimentación en equipos de control industrial
• Se utiliza con controladores de motor que requieren conmutación de alta corriente
• Ideal para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación compactas
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para diseños de montaje en superficie que requieren encapsulados SOIC
• Se utiliza con controladores de motor que requieren conmutación de alta corriente
• Ideal para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación compactas
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para diseños de montaje en superficie que requieren encapsulados SOIC
¿Qué rango de temperatura puede soportar de manera fiable en funcionamiento?
Funciona a temperaturas de –55 a 150 °C, por lo que se adapta a entornos térmicos industriales hostiles.
¿Cómo afecta el tipo de encapsulado a las consideraciones de diseño de PCB?
La huella SOIC de 8 pines requiere atención a los tramos térmicos y el área de cobre para disipar eficazmente su pérdida de potencia máxima de 2,5 W.
¿Qué característica eléctrica determina la eficiencia de conducción a altas corrientes?
La resistencia máxima de drenaje a fuente del dispositivo de 9,4 mΩ regula principalmente las pérdidas de conducción durante el flujo de corriente sostenido.
¿Cómo debe dimensionarse el accionamiento de puerta para una conmutación eficiente?
Diseñar los controladores de puerta para proporcionar una carga suficiente para la velocidad de conmutación típica de 26 nC Qg para equilibrar la energía de accionamiento y las interferencias electromagnéticas.
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