MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 20 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-5715
- Nº ref. fabric.:
- IRF7832TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5715
- Nº ref. fabric.:
- IRF7832TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 155°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 155°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 20 A - IRF7832TRPBF
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para la conmutación y el control de potencia en sistemas electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos industriales y se integra en huellas SOIC estándar para montaje en PCB, lo que ofrece un equilibrio de capacidad de corriente y disipación de potencia gestionable para diseños de potencia media.
Características y ventajas:
• Resistencia de conexión muy baja de 4,8 mΩ, lo que permite reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua de 20 A compatible con cargas de alta corriente
• Valor nominal de drenaje-fuente de 30 V para carriles de alimentación de baja tensión comunes
• Carga de puerta típica de 34 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Disipación de potencia máxima de 2,5 W para un manejo térmico sostenido
• La tolerancia de puerta-fuente de ±20 V permite niveles de accionamiento flexibles
• Corriente de drenaje continua de 20 A compatible con cargas de alta corriente
• Valor nominal de drenaje-fuente de 30 V para carriles de alimentación de baja tensión comunes
• Carga de puerta típica de 34 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Disipación de potencia máxima de 2,5 W para un manejo térmico sostenido
• La tolerancia de puerta-fuente de ±20 V permite niveles de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de convertidor dc-dc
• Ideal para interruptores de potencia de accionamiento de motor en diseños compactos
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Ideal para interruptores de potencia de accionamiento de motor en diseños compactos
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la distribución de energía
¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el servicio?
El dispositivo está especificado para funcionar entre -55 °C y 155 °C, lo que permite su uso en condiciones de temperatura industrial exigentes.
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para el diseño de la placa de circuito impreso?
Se suministra en un encapsulado SOIC de 8 contactos que ayuda en la colocación de huella estándar y la propagación térmica.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta surgen de su carga de puerta?
Con una carga de puerta típica de 34 nC, los controladores deben suministrar una corriente de pico suficiente para lograr la velocidad de conmutación deseada sin pérdidas excesivas.
¿Cómo afecta su tensión directa a los escenarios de conducción en serie?
La tensión directa medida de 1 V afecta a la caída de los eventos de diodo intrínsecos y debe tenerse en cuenta al diseñar la recuperación inversa o la conducción de diodo de cuerpo.
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