MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 20 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-5715
- Nº ref. fabric.:
- IRF7832TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (4000 unidades, en bobina de 4000)*
2.192,00 €
(exc. IVA)
2.652,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 30 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,548 € | 2.192,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5715
- Nº ref. fabric.:
- IRF7832TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 155°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 155°C | ||
Anchura 4mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 20 A - IRF7832TRPBF
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para la conmutación y el control de potencia en sistemas electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos industriales y se integra en huellas SOIC estándar para montaje en PCB, lo que ofrece un equilibrio de capacidad de corriente y disipación de potencia gestionable para diseños de potencia media.
Características y ventajas:
• Resistencia de conexión muy baja de 4,8 mΩ, lo que permite reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua de 20 A compatible con cargas de alta corriente
• Valor nominal de drenaje-fuente de 30 V para carriles de alimentación de baja tensión comunes
• Carga de puerta típica de 34 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Disipación de potencia máxima de 2,5 W para un manejo térmico sostenido
• La tolerancia de puerta-fuente de ±20 V permite niveles de accionamiento flexibles
• Corriente de drenaje continua de 20 A compatible con cargas de alta corriente
• Valor nominal de drenaje-fuente de 30 V para carriles de alimentación de baja tensión comunes
• Carga de puerta típica de 34 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Disipación de potencia máxima de 2,5 W para un manejo térmico sostenido
• La tolerancia de puerta-fuente de ±20 V permite niveles de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de convertidor dc-dc
• Ideal para interruptores de potencia de accionamiento de motor en diseños compactos
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Ideal para interruptores de potencia de accionamiento de motor en diseños compactos
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la distribución de energía
¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el servicio?
El dispositivo está especificado para funcionar entre -55 °C y 155 °C, lo que permite su uso en condiciones de temperatura industrial exigentes.
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para el diseño de la placa de circuito impreso?
Se suministra en un encapsulado SOIC de 8 contactos que ayuda en la colocación de huella estándar y la propagación térmica.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta surgen de su carga de puerta?
Con una carga de puerta típica de 34 nC, los controladores deben suministrar una corriente de pico suficiente para lograr la velocidad de conmutación deseada sin pérdidas excesivas.
¿Cómo afecta su tensión directa a los escenarios de conducción en serie?
La tensión directa medida de 1 V afecta a la caída de los eventos de diodo intrínsecos y debe tenerse en cuenta al diseñar la recuperación inversa o la conducción de diodo de cuerpo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines