MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-5716
- Nº ref. fabric.:
- IRF7842TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5716
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- IRF7842TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - IRF7842TRPBF
Este MOSFET ofrece un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Con especificaciones que incluyen una corriente de drenaje continua de 18 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, mejora la eficiencia energética de los dispositivos electrónicos. Diseñado para la tecnología de montaje en superficie, este dispositivo garantiza la durabilidad y es adecuado para profesionales de la electrónica y la automatización.
Características y ventajas
• La baja Rds(on) a 4,5V mejora la eficiencia
• El manejo de alta corriente optimiza la entrega de potencia
• La mínima carga en la puerta reduce las pérdidas por conmutación
• Avalancha nominal para mejorar la fiabilidad
• La configuración de canal N permite un rendimiento eficaz en aplicaciones de control
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos MOSFET síncronos para la alimentación de procesadores de portátiles
• Actúa como rectificación sincrónica secundaria en convertidores CC-CC aislados
• Funciones en diseños de convertidores CC-CC no aislados
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de este aparato?
Funciona eficazmente hasta +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en entornos de altas temperaturas.
¿Cómo gestiona este componente la corriente durante el funcionamiento?
El dispositivo admite una corriente de drenaje continua de 18 A, adecuada para diversas aplicaciones.
¿Puede utilizarse en circuitos de alta tensión?
Sí, la tensión de drenaje-fuente máxima es de 40 V, lo que proporciona flexibilidad para aplicaciones de alto voltaje.
¿Cuáles son las características de resistencia térmica?
La resistencia térmica de la unión al ambiente suele rondar los 50-55°C/W, lo que facilita una disipación eficaz del calor.
¿Es compatible este MOSFET con la tecnología de montaje superficial?
Sí, está disponible en un encapsulado SOIC diseñado específicamente para montaje en superficie, lo que facilita su integración en diseños de circuitos.
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