MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 165-5716
Nº ref. fabric.:: IRF7842TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:: 165-5716
Nº ref. fabric.:: IRF7842TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.9mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	33nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 4mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - IRF7842TRPBF

Este MOSFET ofrece un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Con especificaciones que incluyen una corriente de drenaje continua de 18 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, mejora la eficiencia energética de los dispositivos electrónicos. Diseñado para la tecnología de montaje en superficie, este dispositivo garantiza la durabilidad y es adecuado para profesionales de la electrónica y la automatización.

Características y ventajas

• La baja Rds(on) a 4,5V mejora la eficiencia

• El manejo de alta corriente optimiza la entrega de potencia

• La mínima carga en la puerta reduce las pérdidas por conmutación

• Avalancha nominal para mejorar la fiabilidad

• La configuración de canal N permite un rendimiento eficaz en aplicaciones de control

Aplicaciones

• Se utiliza en circuitos MOSFET síncronos para la alimentación de procesadores de portátiles

• Actúa como rectificación sincrónica secundaria en convertidores CC-CC aislados

• Funciones en diseños de convertidores CC-CC no aislados

¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de este aparato?

Funciona eficazmente hasta +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en entornos de altas temperaturas.

¿Cómo gestiona este componente la corriente durante el funcionamiento?

El dispositivo admite una corriente de drenaje continua de 18 A, adecuada para diversas aplicaciones.

¿Puede utilizarse en circuitos de alta tensión?

Sí, la tensión de drenaje-fuente máxima es de 40 V, lo que proporciona flexibilidad para aplicaciones de alto voltaje.

¿Cuáles son las características de resistencia térmica?

La resistencia térmica de la unión al ambiente suele rondar los 50-55°C/W, lo que facilita una disipación eficaz del calor.

¿Es compatible este MOSFET con la tecnología de montaje superficial?

Sí, está disponible en un encapsulado SOIC diseñado específicamente para montaje en superficie, lo que facilita su integración en diseños de circuitos.