MOSFET Infineon IRF8707TRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-8214
Nº ref. fabric.:: IRF8707TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF8707TRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)**

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Código RS:: 165-8214
Nº ref. fabric.:: IRF8707TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 11 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - IRF8707TRPBF

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de potencia, mejorando la eficiencia y el rendimiento térmico. Su baja resistencia a la conexión y su mínima carga de puerta reducen significativamente las pérdidas de conducción y conmutación, lo que lo hace idóneo para convertidores CC-CC de alta eficiencia en diversas aplicaciones. El compacto encapsulado SOIC aumenta la versatilidad y se integra fácilmente en espacios reducidos.

Características y ventajas

• La baja carga de puerta reduce las pérdidas de conmutación en las aplicaciones
• La corriente de drenaje continua máxima de 11 A aumenta el rendimiento
• Tolerancia a altas temperaturas de hasta +150°C que garantiza la fiabilidad
• La baja Rds(on) mejora la eficiencia energética general
• La configuración de canal N permite diseños flexibles
• Totalmente caracterizado para voltaje y corriente de avalancha que proporciona mayor seguridad

Aplicaciones

• Control de MOSFET en convertidores buck síncronos
• Uso en convertidores CC-CC aislados para sistemas de red
• Soluciones de gestión energética para procesadores de portátiles
• Aplicación en sistemas de automatización y control para mejorar el rendimiento

¿Cuál es la idoneidad para entornos de altas temperaturas?

El dispositivo funciona eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en las condiciones de alto calor típicas de las aplicaciones de potencia.

¿Cómo gestiona este producto la disipación de energía?

Con una disipación de potencia máxima de 2,5 W, equilibra el rendimiento térmico, disminuyendo el riesgo de sobrecalentamiento.

¿Puede funcionar con distintas tensiones?

Sí, puede soportar una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, lo que lo hace versátil para diversas aplicaciones.

¿Cuál es la tensión umbral máxima de la puerta?

La tensión umbral de puerta máxima es de 2,35 V, lo que garantiza la compatibilidad con una amplia gama de circuitos de accionamiento.

¿Cómo afecta la baja Rds(on) a su rendimiento?

La baja resistencia de drenaje-fuente minimiza las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia y reduciendo la generación de calor durante el funcionamiento.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	17,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.35V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.35V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,2 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	5mm
Ancho	4mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm
Tensión de diodo directa	1V