MOSFET Infineon IRF8707TRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 915-4976
Nº ref. fabric.:: IRF8707TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF8707TRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

13120 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 40)

0,432 €

(exc. IVA)

0,523 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
40 - 360	0,432 €	17,28 €
400 - 1960	0,264 €	10,56 €
2000 - 3960	0,232 €	9,28 €
4000 - 9960	0,227 €	9,08 €
10000 +	0,221 €	8,84 €

*precio indicativo

Código RS:: 915-4976
Nº ref. fabric.:: IRF8707TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	17,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.35V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.35V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,2 nC a 4,5 V
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Ancho	4mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1V
Altura	1.5mm