MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 12 A, TO-220
- Código RS:
- 257-9278
- Nº ref. fabric.:
- IRF200B211
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 257-9278
- Nº ref. fabric.:
- IRF200B211
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es la familia IR Mosfet de Mosfet de potencia que utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Encapsulado de alta capacidad de transporte de corriente