MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF200B211, VDSS 200 V, ID 12 A, TO-220

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Código RS:
257-9279
Nº ref. fabric.:
IRF200B211
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es la familia IR Mosfet de Mosfet de potencia que utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

Encapsulado de alta capacidad de transporte de corriente

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