MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7324TRPBF, VDSS 20 V, ID -9 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 257-9303
- Nº ref. fabric.:
- IRF7324TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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| 50 - 120 | 0,966 € | 4,83 € |
| 125 - 245 | 0,90 € | 4,50 € |
| 250 - 495 | 0,832 € | 4,16 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9303
- Nº ref. fabric.:
- IRF7324TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal P doble de -20 V en un encapsulado SO 8.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Capacidad de soldadura por ola