MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7324TRPBF, VDSS 20 V, ID -9 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 257-9303
- Nº ref. fabric.:
- IRF7324TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,098 € | 5,49 € |
| 50 - 120 | 0,966 € | 4,83 € |
| 125 - 245 | 0,90 € | 4,50 € |
| 250 - 495 | 0,832 € | 4,16 € |
| 500 + | 0,782 € | 3,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9303
- Nº ref. fabric.:
- IRF7324TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal P doble de -20 V en un encapsulado SO 8.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Capacidad de soldadura por ola