MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -5.1 A, PQFN de 6 pines

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Código RS:
257-9391
Nº ref. fabric.:
IRFHS9351TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-5.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.4W

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.9nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

2mm

Estándar de automoción

No

La serie IRFHS de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de doble canal P de -30 V en un encapsulado PQFN 2x2. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

RDS bajo (encendido) en un encapsulado pequeño

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