MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFHS9351TRPBF, VDSS -30 V, ID -5.1 A, PQFN de 6 pines
- Código RS:
- 257-9392
- Nº ref. fabric.:
- IRFHS9351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 257-9392
- Nº ref. fabric.:
- IRFHS9351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -5.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.9nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -5.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.9nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFHS de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de doble canal P de -30 V en un encapsulado PQFN 2x2. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
RDS bajo (encendido) en un encapsulado pequeño