MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 68 A, N, TDSON de 8 pines

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Código RS:
258-0696
Nº ref. fabric.:
BSC120N12LSGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

TDSON

Serie

BSC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.2mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

0.87V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

114W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.49mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Anchura

6.35 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 3 en nivel lógico son muy adecuados para aplicaciones de carga, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Los MOSFET de nivel lógico permiten operaciones a altas frecuencias de conmutación y, gracias a una tensión de umbral de puerta baja, se pueden accionar directamente desde los microcontroladores.

Carga de puerta baja

Carga de salida inferior

Compatibilidad de nivel lógico

Diseños de mayor densidad de potencia

Mayor frecuencia de conmutación

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