Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP034N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, TDSON de 3 pines

Código RS:: 258-3891
Nº ref. fabric.:: IPP034N08N5AKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP034N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, TDSON de 3 pines

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Código RS:: 258-3891
Nº ref. fabric.:: IPP034N08N5AKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	TDSON
	Serie	IPP
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.4mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	167W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	69nC
	Tensión directa Vf	0.97V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21, RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado TDSON
	Serie IPP
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.4mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 167W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC
	Tensión directa Vf 0.97V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPP034N08N5AKSA1

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 80 V, especialmente diseñado para rectificación síncrona para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, el dispositivo también se puede utilizar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores. En siete encapsulados diferentes, los MOSFET OptiMOS 5 de 80 V ofrecen el RDS(on) más bajo del sector. Además, en comparación con la generación anterior, OptiMOS 5 80 V tiene una reducción de RDS(on) de hasta un 43%.

Ideal para alta frecuencia de conmutación

Reducción de capacitancia de salida de hasta un 44 %

Eficiencia del sistema más alta

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

Desviación de tensión baja

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP034N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, TDSON de 3 pines

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