MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC120N12LSGATMA1, VDSS 120 V, ID 68 A, N, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0697
- Nº ref. fabric.:
- BSC120N12LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 + | 1,645 € | 3,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0697
- Nº ref. fabric.:
- BSC120N12LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tensión directa Vf | 0.87V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie BSC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Tensión directa Vf 0.87V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Longitud 5.49mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 3 en nivel lógico son muy adecuados para aplicaciones de carga, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Los MOSFET de nivel lógico permiten operaciones a altas frecuencias de conmutación y, gracias a una tensión de umbral de puerta baja, se pueden accionar directamente desde los microcontroladores.
Carga de puerta baja
Carga de salida inferior
Compatibilidad de nivel lógico
Diseños de mayor densidad de potencia
Mayor frecuencia de conmutación
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