MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC120N12LSGATMA1, VDSS 120 V, ID 68 A, N, TDSON de 8 pines

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Código RS:
258-0697
Nº ref. fabric.:
BSC120N12LSGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

BSC

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.2mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

114W

Tensión directa Vf

0.87V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Altura

1.1mm

Anchura

6.35 mm

Longitud

5.49mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 3 en nivel lógico son muy adecuados para aplicaciones de carga, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Los MOSFET de nivel lógico permiten operaciones a altas frecuencias de conmutación y, gracias a una tensión de umbral de puerta baja, se pueden accionar directamente desde los microcontroladores.

Carga de puerta baja

Carga de salida inferior

Compatibilidad de nivel lógico

Diseños de mayor densidad de potencia

Mayor frecuencia de conmutación

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