MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZ120R060M1HXKSA1, VDSS 1200 V, N, TO-247
- Código RS:
- 258-3764
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3764
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.8mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 5.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.8mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 5.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET SiC CoolSiC de 1.200 V y 60 mΩ de Infineon en encapsulado TO247-4 se basa en un proceso de semiconductor de trinchera de última generación optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen, los niveles de carga de puerta y capacitancia de dispositivo más bajos observados en interruptores de 1.200 V, ninguna pérdida de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado encendido sin umbral. Los MOSFET CoolSiC son ideales para topologías de conmutación rígida y resonante como circuitos de corrección de factor de potencia, topologías bidireccionales y convertidores dc-dc o inversores dc-ac.
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con calificación para conmutación rígida
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura
Eficiencia más alta
Esfuerzo de refrigeración reducido
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