MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 67 A, P, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
258-3834
Nº ref. fabric.:
IPD12CN10NGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

67A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.4mΩ

Modo de canal

P

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS (on) como en FOM

Excelente rendimiento de conmutación

R DS(on) más baja del mundo

Respetuoso con el medio ambiente

Mayor eficiencia

Densidad de potencia más alta

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