MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD12CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 67 A, P, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3835
- Nº ref. fabric.:
- IPD12CN10NGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,915 € | 3,83 € |
| 20 - 48 | 1,65 € | 3,30 € |
| 50 - 98 | 1,55 € | 3,10 € |
| 100 - 198 | 1,44 € | 2,88 € |
| 200 + | 1,325 € | 2,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3835
- Nº ref. fabric.:
- IPD12CN10NGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.4mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.4mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS (on) como en FOM
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más baja del mundo
Respetuoso con el medio ambiente
Mayor eficiencia
Densidad de potencia más alta