MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPD15P10PLGBTMA1, VDSS 100 V, ID 15 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-7790
- Nº ref. fabric.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,404 € | 7,02 € |
| 25 - 45 | 1,21 € | 6,05 € |
| 50 - 120 | 1,138 € | 5,69 € |
| 125 - 245 | 1,054 € | 5,27 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 258-7790
- Nº ref. fabric.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.20Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 47nC | |
| Tensión directa Vf | -0.96V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SPD15P10P | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.20Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 47nC | ||
Tensión directa Vf -0.96V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia SIPMOS de Infineon pertenece a los MOSFET de potencia de canal P de la familia OptiMOS muy innovadores. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito.
Modo de mejora
Valor nominal de avalancha
Chapado de cable sin plomo
Conformidad con RoHS
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