MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 24 V, ID 382 A, TO-262 de 3 pines

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Código RS:
260-5054
Nº ref. fabric.:
AUIRF1324WL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

382A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

24V

Encapsulado

TO-262

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

9.65mm

Altura

4.83mm

Anchura

10.67mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon Widelead HEXFET está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Dispone de una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva.

Tecnología de proceso avanzada

Resistencia de encendido muy baja

Conmutación rápida

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

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