MOSFET, N-Canal Infineon AUIRF1324WL, VDSS 24 V, ID 382 A, TO-262 de 3 pines
- Código RS:
- 260-5055
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF1324WL
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 5 más para ahorrar un 5%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
9,82 €
(exc. IVA)
11,88 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 998 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Ahorro |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 9,82 € | - |
| 5 - 9 | 9,32 € | 5% |
| 10 - 24 | 8,94 € | 8% |
| 25 - 49 | 8,54 € | 13% |
| 50 + | 7,94 € | 19% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 260-5055
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF1324WL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 382A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 24V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 84nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 382A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 24V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 84nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon Widelead HEXFET está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Dispone de una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido muy baja
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax