MOSFET, N-Canal Infineon AUIRF1324WL, VDSS 24 V, ID 382 A, TO-262 de 3 pines

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Código RS:
260-5055
Nº ref. fabric.:
AUIRF1324WL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

382A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

24V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-262

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

10.67mm

Altura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

9.65mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon Widelead HEXFET está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Dispone de una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva.

Tecnología de proceso avanzada

Resistencia de encendido muy baja

Conmutación rápida

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

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