MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, ID 30 A, N, PG-TO-252
- Código RS:
- 260-5128
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-5128
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Encapsulado | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Encapsulado PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor MOSFET de canal N de Infineon funciona en modo de mejora. Su disipación de potencia máxima es de 100 W. Este transistor MOSFET tiene un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a 175 °C.
Modo de mejora de canal N
Rds(on) ultrabajo
100 % probado en avalancha