MOSFET Infineon IPF009N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 302 A, PG-TO263-7 de 7 pines, 2elementos

Código RS:: 262-5868
Nº ref. fabric.:: IPF009N04NF2SATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPF009N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 302 A, PG-TO263-7 de 7 pines, 2elementos

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)

1,705 €

(exc. IVA)

2,063 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
800 +	1,705 €	1.364,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 262-5868
Nº ref. fabric.:: IPF009N04NF2SATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPF009N04NF2SATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El transistor de potencia de canal N de Infineon está optimizado para una amplia gama de aplicaciones y se ha probado al 100 por ciento contra avalanchas.

Chapado de cable sin plomo
Conformidad con RoHS
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	302 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	PG-TO263-7
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Modo de Canal	Mejora
Material del transistor	SiC
Número de Elementos por Chip	2

MOSFET Infineon IPF009N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 302 A, PG-TO263-7 de 7 pines, 2elementos

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Especificaciones

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