MOSFET Vishay, Doble N-Canal SI9634DY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 4

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Código RS:
268-8283
Nº ref. fabric.:
SI9634DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Doble N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SI9634DY

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

60 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested

Número de elementos por chip

4

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de 4 generaciones de canal N doble TrenchFET de Vishay es un dispositivo completamente libre de plomo y halógenos. Está optimizado y la relación reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación y se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de motor

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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