MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ4850CEY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8359
Nº ref. fabric.:
SQ4850CEY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQ4850CEY

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.031Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

6.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos con MOSFET de configuración única y es independiente de la temperatura de funcionamiento.

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

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