MOSFET Vishay, Doble N-Canal SQJQ936E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, PowerPAK (8x8L), Mejora de 4 pines, 4

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Código RS:
268-8367
Nº ref. fabric.:
SQJQ936E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQJQ936E

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

40 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested

Número de elementos por chip

4

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N doble de automoción TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos con MOSFET de configuración única y es independiente de la temperatura de funcionamiento.

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

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