Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 112 A, Mejora, PG-TO262-3 de 3 pines

Código RS:: 273-3014
Nº ref. fabric.:: IPI076N15N5AKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 112 A, Mejora, PG-TO262-3 de 3 pines

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Código RS:: 273-3014
Nº ref. fabric.:: IPI076N15N5AKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	112A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	PG-TO262-3
	Serie	OptiMOSa5
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	7.6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	214W
	Tensión directa Vf	1.1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	61nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 112A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado PG-TO262-3
	Serie OptiMOSa5
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 214W
	Tensión directa Vf 1.1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPI076N15N5AKSA1

Los MOSFET de potencia de Infineon son especialmente adecuados para accionamientos de baja tensión como montacargas y scooters electrónicos, así como aplicaciones de telecomunicaciones y energía solar.

Diseños de mayor densidad de potencia

Productos más resistentes

Reducción de costes del sistema

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 112 A, Mejora, PG-TO262-3 de 3 pines

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