MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STWA60N043DM9, ID 56 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
275-1383
Nº ref. fabric.:
STWA60N043DM9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Serie

STW

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

43mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

312W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh DM9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media o alta con RDS(on) muy bajo por área acoplado a un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Mejor RDS mundial por área entre dispositivos de recuperación rápida basados en silicio

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

Prueba de avalancha al 100 %

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