MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STWA60N043DM9, ID 56 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 275-1383
- Nº ref. fabric.:
- STWA60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 275-1383
- Nº ref. fabric.:
- STWA60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Serie | STW | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 43mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Serie STW | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 43mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh DM9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media o alta con RDS(on) muy bajo por área acoplado a un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Mejor RDS mundial por área entre dispositivos de recuperación rápida basados en silicio
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Prueba de avalancha al 100 %
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