MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS4634LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9975
- Nº ref. fabric.:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,12 €
(exc. IVA)
8,62 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5670 unidad(es) más para enviar a partir del 17 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,712 € | 7,12 € |
| 50 - 90 | 0,532 € | 5,32 € |
| 100 - 240 | 0,472 € | 4,72 € |
| 250 - 990 | 0,467 € | 4,67 € |
| 1000 + | 0,457 € | 4,57 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9975
- Nº ref. fabric.:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | 1212-8 | |
| Serie | SIS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.029Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado 1212-8 | ||
Serie SIS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.029Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay VDSS 60 V PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
