MOSFET, N-Canal Vishay SIS4634LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9975
Nº ref. fabric.:
SIS4634LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIS

Encapsulado

1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.029Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

19.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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