MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPD08P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 8.8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 462-3247
- Nº ref. fabric.:
- SPD08P06PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,746 € | 7,46 € |
| 100 - 240 | 0,709 € | 7,09 € |
| 250 - 490 | 0,68 € | 6,80 € |
| 500 - 990 | 0,649 € | 6,49 € |
| 1000 + | 0,605 € | 6,05 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 462-3247
- Nº ref. fabric.:
- SPD08P06PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensión directa Vf | -1.55V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensión directa Vf -1.55V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon de la serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 8,8 A, disipación de potencia máxima de 42 W - SPD08P06PGBTMA1
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones que requieren conmutación y control eficientes. Puede manejar corrientes de drenaje continuas de 8,8 A y una tensión de drenaje-fuente de 60 V, adecuadas para diversos circuitos electrónicos. El dispositivo funciona eficazmente en una amplia gama de temperaturas, lo que mejora su rendimiento en entornos difíciles.
Características y ventajas
• El modo de funcionamiento mejorado garantiza una conmutación eficaz
• Alta capacidad de potencia para aplicaciones electrónicas potentes
• La baja Rds(on) minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento
• Utiliza el encapsulado DPAK para aplicaciones eficaces de montaje en superficie
Aplicaciones
• Aplicable en controles electrónicos de automoción de alta fiabilidad
• Ideal para sistemas de gestión de energía en equipos industriales
• Adecuado para sistemas de gestión de baterías en vehículos eléctricos
• Utilizado en la tecnología de inversores para sistemas de energías renovables
• Se utiliza en dispositivos electrónicos de conmutación para productos de consumo
¿Qué implicaciones tiene utilizar una configuración de canal P?
Las configuraciones de canal P facilitan la integración en aplicaciones de conmutación de lado alto, proporcionando un cómodo control dentro de los circuitos.
¿Cómo afecta el rendimiento térmico a la longevidad?
La capacidad de funcionar hasta a +175 °C aumenta la fiabilidad y contribuye a prolongar la vida útil en entornos difíciles.
¿Qué importancia tiene la cualificación AEC-Q101?
Esta calificación confirma su idoneidad para aplicaciones de automoción, cumpliendo estrictas normas de fiabilidad y seguridad.
¿Se puede utilizar junto con otros MOSFET?
Sí, puede integrarse con otros componentes para crear circuitos complementarios para aplicaciones eficaces de conmutación múltiple.
¿Qué factores influyen en la disipación de potencia de este dispositivo?
Los factores clave son la temperatura ambiente, la corriente de drenaje y el ciclo de trabajo durante el funcionamiento, que afectan al rendimiento térmico global.