MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8.8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
911-4824
Nº ref. fabric.:
SPD08P06PGBTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.55V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.5mm

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon de la serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 8,8 A, disipación de potencia máxima de 42 W - SPD08P06PGBTMA1


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones que requieren conmutación y control eficientes. Puede manejar corrientes de drenaje continuas de 8,8 A y una tensión de drenaje-fuente de 60 V, adecuadas para diversos circuitos electrónicos. El dispositivo funciona eficazmente en una amplia gama de temperaturas, lo que mejora su rendimiento en entornos difíciles.

Características y ventajas


• El modo de funcionamiento mejorado garantiza una conmutación eficaz

• Alta capacidad de potencia para aplicaciones electrónicas potentes

• La baja Rds(on) minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento

• Utiliza el encapsulado DPAK para aplicaciones eficaces de montaje en superficie

Aplicaciones


• Aplicable en controles electrónicos de automoción de alta fiabilidad

• Ideal para sistemas de gestión de energía en equipos industriales

• Adecuado para sistemas de gestión de baterías en vehículos eléctricos

• Utilizado en la tecnología de inversores para sistemas de energías renovables

• Se utiliza en dispositivos electrónicos de conmutación para productos de consumo

¿Qué implicaciones tiene utilizar una configuración de canal P?


Las configuraciones de canal P facilitan la integración en aplicaciones de conmutación de lado alto, proporcionando un cómodo control dentro de los circuitos.

¿Cómo afecta el rendimiento térmico a la longevidad?


La capacidad de funcionar hasta a +175 °C aumenta la fiabilidad y contribuye a prolongar la vida útil en entornos difíciles.

¿Qué importancia tiene la cualificación AEC-Q101?


Esta calificación confirma su idoneidad para aplicaciones de automoción, cumpliendo estrictas normas de fiabilidad y seguridad.

¿Se puede utilizar junto con otros MOSFET?


Sí, puede integrarse con otros componentes para crear circuitos complementarios para aplicaciones eficaces de conmutación múltiple.

¿Qué factores influyen en la disipación de potencia de este dispositivo?


Los factores clave son la temperatura ambiente, la corriente de drenaje y el ciclo de trabajo durante el funcionamiento, que afectan al rendimiento térmico global.

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