MOSFET Infineon SPD08P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 8,83 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 911-4824
Nº ref. fabric.:: SPD08P06PGBTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon SPD08P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 8,83 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 07/05/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,321 €

(exc. IVA)

0,388 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 - 2500	0,321 €	802,50 €
5000 +	0,305 €	762,50 €
*precio indicativo

Código RS:: 911-4824
Nº ref. fabric.:: SPD08P06PGBTMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS^® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	SIPMOS
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	300 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	42 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	6.22mm
Longitud	6.5mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	2.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 911-4824
Nº ref. fabric.:: SPD08P06PGBTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon SPD08P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 8,83 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

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MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

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