MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS8949, VDSS 40 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 671-0747
- Número de artículo Distrelec:
- 304-43-728
- Nº ref. fabric.:
- FDS8949
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
6,06 €
(exc. IVA)
7,335 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 5 unidad(es) más para enviar a partir del 08 de junio de 2026
- Disponible(s) 3185 unidad(es) más para enviar a partir del 15 de junio de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,212 € | 6,06 € |
| 50 - 95 | 1,046 € | 5,23 € |
| 100 - 495 | 0,908 € | 4,54 € |
| 500 - 995 | 0,794 € | 3,97 € |
| 1000 + | 0,724 € | 3,62 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 671-0747
- Número de artículo Distrelec:
- 304-43-728
- Nº ref. fabric.:
- FDS8949
- Fabricante:
- onsemi
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi VDSS 40 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 100 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 80 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 100 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
