MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 343 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

5,95 €

(exc. IVA)

7,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 70 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 136 unidad(es) más para enviar a partir del 15 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 182,975 €5,95 €
20 - 482,68 €5,36 €
50 - 982,50 €5,00 €
100 - 1982,35 €4,70 €
200 +2,175 €4,35 €

*precio indicativo

Código RS:
688-7204
Nº ref. fabric.:
IRLB3034PBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

343A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83 mm

Longitud

10.67mm

Altura

9.02mm

Distrelec Product Id

304-43-457

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 343 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V - IRLB3034PBF


Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para aplicaciones exigentes en automatización y electrónica. Con una configuración en modo de mejora y una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, garantiza un funcionamiento fiable en diversas condiciones. El tipo de encapsulado TO-220AB facilita el montaje, por lo que resulta adecuado para diversos diseños. Sus dimensiones compactas de 10,67 mm de longitud, 4,83 mm de anchura y 9,02 mm de altura aumentan aún más su versatilidad.

Características y ventajas


• Capaz de manejar una corriente de drenaje continua máxima de 343 A

• Optimizado para el accionamiento a nivel lógico para un control simplificado

• Diseñado para requisitos de conmutación de potencia de alta velocidad

• Amplia gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +175°C

• Umbral de puerta superior de 1 V a 2,5 V para operaciones de baja tensión

Aplicaciones


• Ideal para sistemas de accionamiento de motores de CC

• Utilizado en configuraciones de rectificación síncrona de alta eficiencia

• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida

• Eficaz en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de potencia de este componente?


El dispositivo puede disipar hasta 375 W en condiciones óptimas, lo que le permite gestionar importantes cargas térmicas en aplicaciones exigentes.

¿Cómo contribuye el bajo RDS(on) al rendimiento?


La baja resistencia de encendido de 2mΩ reduce las pérdidas de energía, lo que permite una mayor eficiencia y un funcionamiento más frío, esencial para aplicaciones de alta corriente.

¿Puede utilizarse este MOSFET en sistemas de automatización?


Sí, gracias a su alta capacidad de corriente y su fiable rendimiento de conmutación, es muy adecuado para diversas aplicaciones de automatización, mejorando la eficiencia y el control.

¿Qué opciones de montaje ofrece este componente?


Emplea un tipo de montaje de orificio pasante, lo que simplifica la integración en diversos diseños de circuitos a la vez que garantiza conexiones seguras.

Enlaces relacionados