MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLB3034PBF, VDSS 40 V, ID 343 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
124-9024
Nº ref. fabric.:
IRLB3034PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

343A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.02mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 343 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V - IRLB3034PBF


Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para aplicaciones exigentes en automatización y electrónica. Con una configuración en modo de mejora y una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, garantiza un funcionamiento fiable en diversas condiciones. El tipo de encapsulado TO-220AB facilita el montaje, por lo que resulta adecuado para diversos diseños. Sus dimensiones compactas de 10,67 mm de longitud, 4,83 mm de anchura y 9,02 mm de altura aumentan aún más su versatilidad.

Características y ventajas


• Capaz de manejar una corriente de drenaje continua máxima de 343 A

• Optimizado para el accionamiento a nivel lógico para un control simplificado

• Diseñado para requisitos de conmutación de potencia de alta velocidad

• Amplia gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +175°C

• Umbral de puerta superior de 1 V a 2,5 V para operaciones de baja tensión

Aplicaciones


• Ideal para sistemas de accionamiento de motores de CC

• Utilizado en configuraciones de rectificación síncrona de alta eficiencia

• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida

• Eficaz en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de potencia de este componente?


El dispositivo puede disipar hasta 375 W en condiciones óptimas, lo que le permite gestionar importantes cargas térmicas en aplicaciones exigentes.

¿Cómo contribuye el bajo RDS(on) al rendimiento?


La baja resistencia de encendido de 2mΩ reduce las pérdidas de energía, lo que permite una mayor eficiencia y un funcionamiento más frío, esencial para aplicaciones de alta corriente.

¿Puede utilizarse este MOSFET en sistemas de automatización?


Sí, gracias a su alta capacidad de corriente y su fiable rendimiento de conmutación, es muy adecuado para diversas aplicaciones de automatización, mejorando la eficiencia y el control.

¿Qué opciones de montaje ofrece este componente?


Emplea un tipo de montaje de orificio pasante, lo que simplifica la integración en diversos diseños de circuitos a la vez que garantiza conexiones seguras.

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