MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW45NM60, VDSS 600 V, ID 45 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 714-6800
- Nº ref. fabric.:
- STW45NM60
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
12,43 €
(exc. IVA)
15,04 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 38 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 29 unidad(es) más para enviar a partir del 16 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 12,43 € |
| 10 - 24 | 11,44 € |
| 25 - 99 | 10,97 € |
| 100 - 249 | 9,46 € |
| 250 + | 9,22 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 714-6800
- Nº ref. fabric.:
- STW45NM60
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 96nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 417W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 96nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 417W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, Hip-247 de 4 pines