MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPB80P06PGATMA1, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
753-3166
Nº ref. fabric.:
SPB80P06PGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

115nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

340W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Longitud

10.31mm

Anchura

9.45 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®


Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)

· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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