MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS6912A, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

9,625 €

(exc. IVA)

11,65 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Está siendo descatalogado
  • Disponible(s) 25 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Última(s) 7875 unidad(es) para enviar desde el 30 de enero de 2026
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 +0,385 €9,63 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
772-9225
Nº ref. fabric.:
FDS6912A
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

PowerTrench

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.75V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Enlaces relacionados